铟 (Indium) 、镓 (Gallium) 、锌 (Zinc) 、氧 (Oxygen) 构成的非晶半导体的简称。是一种LCD薄膜晶体管显示器技术，IGZO技术由东京工业大学教授细野秀雄与日本科学技术振兴机构（JST）共同开发。IGZO与非晶硅相比能够缩小晶体管尺寸，提高液晶面板画素的开口率，较易实现分辨率高出一倍，电子迁移率快十倍。成为OLED技术最大对手。

概要

IGZO该名字是构成元素铟 (Indium) 、镓 (Gallium) 、锌 (Zinc) 、氧 (Oxygen) 的首字母组合而成的。该材料是通过溅射成膜（溅射一般是在充有惰性气体的真空系统中，通过高压电场的作用，使得氩气电离，产生氩离子流，轰击靶阴极，被溅出的靶材料原子或分子沉淀积累在半导体芯片或玻璃、陶瓷上而形成薄膜。）

在智能手机的display中的薄膜晶体管中担当控制发光和滤色器切换的部件中，有一部分的薄膜就是使用的IGZO。使用IGZO的TFT也被称为IGZO－TFT。

特征

TFT的性能取决于电子迁移率和leakage current的大小。由于使用了IGZO的TFT可以减小TFT的尺寸，电迁移率比常规使用的非晶硅TFT大约快20倍，所以可以实现节能和高精度。同时leakage current见笑了千分之一，因此在静止画表示状态时，休止TFT时候可以减小电流噪音。同时touch pannel中采用IGZO可以提高touch的精度。

错误的认识

关于IGZO错误的认识有以下两点。

IGZO比OLED性能好

IGZO仅仅是TFT的一个部件，因此无法与OLED在发光方式上进行对比。事实上、运用IGZO－TFT的OLED display也正在开发中。

IGZO是夏普开发的

确实是夏普进行商品化的，然而开发者并不是夏普。IGZO是东京工业大学的細野教授通过两个大项目：【JSTの創造科学技術推進事業 (ERATO) 与戦略的創造研究推進事業 発展研究 (SORST)】 开发出来的、夏普在2012年通过购买专利使用权进行的产品化。因此，IGZO的专利权与「IGZO」的商标权还握在JST手中。另一方面，夏普握有「イグゾー」与其logo的商标权。

参考文献

• K, Nomura.; H, Ohta.; A. Takagi.; T, Kamiya.; M, Hirano.; H, Hosono. Nature 2004, 432, 488. DOI:10.1038/nature03090

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关联链接

• IGZO: wikipedia
• テクノロジー解説：夏普技术开发网站

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